(1)納電子由2005年Geim研究組與Kim研究組的（de）發現顯示：在室溫下，石墨烯（xī）的高載流子遷移（yí）率是商用矽片的十倍左（zuǒ）右，同（tóng）時，它（tā）的（de）熱穩定（dìng）性好，摻雜（zá）無負（fù）影響，室（shì）溫下亞微米尺度的彈道傳輸特性可達0.3 m，這就是（shì）納電子器件采用石墨（mò）烯作摻雜的**憑證，這就使得電工領域將有可（kě）能製成（chéng）室溫彈道場效應（yīng）管。此外，石墨烯即使減小到納米尺度（dù），甚至到單個苯環，它的熱穩定性和電學性（xìng）能依舊（jiù）不會有影響，石墨烯（xī）在電（diàn）子方（fāng）麵（miàn）的應用指日可待（dài）。

(2)計算機研究表明（míng），石墨烯是綜合性（xìng）能**的導電材料。如果能應用在高頻電路上將一定可行。高頻電路引領著現代（dài）電子工業的（de）繼續（xù）高速發展。電子設備的發展狀況中，通過手機就看到了科技的進步。到目前為止，信息完善程度（dù）一直在提高，同時使用頻率也在（zài）不斷改進，然而現（xiàn）在就造成了手機發熱（rè）問（wèn）題。因此，高頻的繼續提升便成（chéng）了難（nán）題。石墨烯的偉大發現，給高頻的提升提供了廣（guǎng）闊無限的空間。它在微電子領（lǐng）域也將發（fā）揮著巨大的應用潛（qián）力。不斷的實驗研（yán）究表明，石墨烯是一定有（yǒu）可能代替（tì）矽，未來的超級計算機的產生（shēng）將不是個奇跡。

(3)太（tài）陽能電池四年前，清華大學的幾（jǐ）位學（xué）者首次將石（shí）墨烯覆蓋在傳統的（de）單晶矽材料上，研究發現其具有優異的光電轉換性能。如此一個簡易的太陽能電池模型，經過優化提升後光電轉換效率可以達（dá）到10％以上。石（shí）墨烯一矽模型還可以進一步拓（tuò）展為石墨烯與其他半導體材料的結（jié）構。這（zhè）種可以（yǐ）將石墨烯與傳統材料（liào）結合的模型，為石墨（mò）烯（xī）的實際應（yīng）用具有（yǒu）重（chóng）要的推動作用。

(4)光子傳感（gǎn）器石墨烯還能作為光子傳感器應用在（zài）更大的市場上，這種傳感器可以檢測光纖中（zhōng）攜帶的信息（xī），石墨（mò）烯（xī）代替了矽（guī）的角色，矽的時代似乎就要結束。2012年10月，IBM的一個研究小組首次披露了他們研製（zhì）的石墨烯光電探測器，接下來就要憧憬的是石墨烯的太陽能電池和（hé）液晶顯示屏了。石墨烯是透明的，用它製造的電板比其他材料具有更優良的透光性。

(5)基因測序由於石墨烯（xī）的厚度比DNA鏈中（zhōng）相鄰堿基之間的（de）距離小，DNA四種堿基之間存在電子指紋。因此（cǐ），石（shí）墨烯將可能實現直接的、快速的（de）、低成本的基因電子測序技術。

(6)減少噪音美國IBM表（biǎo）示，通過2層“石墨烯”重疊，成功試製了新型晶體管。該晶體管的特有特性就是使（shǐ）納米元件的1／f大幅降低。這是個突破。石墨烯（xī）繼續研製所得的晶體管，與預計（jì）並不相符，不能控製（zhì）噪音。但是，可以通過在石墨烯間層生成的強電子（zǐ）結合，從而控製噪音。

(7)隧穿（chuān）勢壘量子隧穿（chuān）效應應用領域（yù）非常廣泛。包括電子冷（lěng）發射、超導體（tǐ）物理學（xué）等領域。氧化鎂、鋁等材料（liào）是傳（chuán）統的勢壘材料，但是它們無（wú）論是在厚度還是在電荷等方麵，都（dōu）不夠完美，因此間接對器件（jiàn）的性能和穩定性（xìng）都造成（chéng）一定的影響，情況嚴重的話將會引起災難性失敗。美國海軍方麵的一個研究室利用石墨烯的綜合電性能優勢，將其作為**考慮其為量子隧穿勢壘材料。根（gēn）據隧穿晶體（tǐ）管、非（fēi）揮發性磁（cí）性記憶體和可編程邏輯電路的工（gōng）業需求，石墨烯（xī）將會成為研究者們的實驗（yàn）對象。

(8)其它方麵石墨烯不僅應用於以上領域，未來在各個（gè）方麵將都有突破。在量子物理學方麵的研究領域將取得新突破。中國科研人（rén）員研究（jiū）發現，石（shí）墨烯上不能生長細菌（jun1）細胞，而人類細胞卻可以。因此，石墨烯可以應用在醫學方麵。

例如抗菌T恤、繃帶等。石墨烯能夠（gòu）用來作光電化學電池，它取代了金屬的發（fā）光二極管。同（tóng）時，燈具的金屬（shǔ）石墨電極還可以用（yòng）石墨烯來代（dài）替。石墨烯的未來發展不可估量，十年的發展飛速前進，未（wèi）來將能（néng）引領國際高（gāo）科技的進步和社會的發展（zhǎn）。