此類材料中的無機物包括SiO2、分子篩、粘土和陶瓷（cí）等。采用原位聚合法將（jiāng）納米SiO2添到ODA、PMDA的反應體係中，合成出PI/SiO2複合材料。然後用HF 刻蝕SiO2納米粒子（zǐ），引入納米微孔（kǒng），形成含有微孔的PI 薄膜。研究（jiū）發現，當（dāng）造孔劑含量為15%時，薄膜（mó）的介（jiè）電常（cháng）數從純PI 的3.54 降低至3.05。

目前將介孔氧化矽或POSS的孔洞結構（gòu）引入聚酰亞胺體係製備低介電複合材料已成為新的研究熱點。利用（yòng）原位（wèi）分散（sàn）聚合法（fǎ）製備了含（hán）有7% SBA-16 和3% SBA-15 的介孔SiO2分子篩的PI 複合材料，其介電常數（shù）分別為2.61 和2.73，其力學性能（néng）和熱（rè）穩定（dìng）性也得到不同程度的提（tí）高。研究了3-氨丙基-三（sān）甲氧基矽烷(ATS)改性的（de）SBA-15 對PI 薄膜性能的影響。研究表（biǎo）明，ATS改性的SBA-15 既能提高PI 薄膜（mó）的拉伸（shēn）強度、斷裂伸長率和（hé）熱穩定性，又能明顯降低PI薄膜的介（jiè）電常數。與純PI 相比，含3%SBA-15 的PI 薄膜CTE降低（dī）了25%，含10%SBA-15 的PI 薄膜（mó）的介電常數可降至2.6。M H Tsai 等[20]利用溶膠-凝（níng）膠法將（jiāng）POSS的孔洞結構引入到PI 中製得PI/SiO2複合材料，其介電常數和CTE均很低。

利用插層法製備了PI/粘土納米薄膜（mó），在130 ℃下其介電（diàn）常數小於（yú）2.75，介質損耗因數為0.005。李廣（guǎng）等[22]利用（yòng）原位聚（jù）合法製備了AlN 摻雜（zá）的PI 薄膜，AlN 的摻雜提高了薄膜的介電（diàn）性能。

目前，PI-無（wú）機（jī）物（納米）雜化塗層膠還處於研究階段，尚未商品（pǐn）化。其存在的問題是無機粒子的含量不高，且粒子易沉積團聚，兩相（xiàng）界麵的相容性不好等。研究有機-無機相的相容性，將無機納米粒（lì）子均勻的分散到高粘度的PI 基體中，是目（mù）前開發納米雜化PI 材料需（xū）要解決的首要問題。