聚酰亞胺具有高的熱穩定（dìng）性、高的絕（jué）緣性、低的介電常數以及優（yōu）良的機械強（qiáng）度而應用於集成電路。尤其是（shì）光敏聚（jù）酰亞胺（àn），不但可以大大簡（jiǎn）化集（jí）成電路的製造工藝，而且所製作的圖（tú）形質量大大優於非（fēi）光敏聚酰亞胺。隨（suí）著微電子器（qì）件不斷向微型化、高密度化方向發展，對光刻膠的性（xìng）能要求越來越（yuè）高（gāo）。

  1971年，由Kerwin 等〔2〕提出光敏聚酰亞胺（PSPI）。八十年代（dài），日本成功地開發（fā）出離子型負性PSPI 商品（Photoneece）。這種光刻（kè）膠在365"nm 有很強的吸收，其感光度為7 ~ 10"mJ / cm2，這是在以往（wǎng）的報導中感光度**的。在後來的研究中，盡管很多學者做了大量的工（gōng）作，但所（suǒ）合成的離（lí）子型PSPI 的（de）感光度（dù）大多在920 ~ 150"mJ / cm2 之間。這種離子型負性PSPI 光刻膠的研（yán）究焦點主要集（jí）中在光敏性叔胺（àn）的設計合成上。離子型PSPI 有許多優點：1、靈敏度高；2、酰亞胺溫度低；3、膜的機械性（xìng）能好；4、合成（chéng）簡便等。近年來有關的報道很多，但感光度都不理想。

  合成了新的複合（hé）光敏聚酰胺酸（suān）季銨鹽，研究了光敏劑、交聯劑以及化學結構對感光度的影響，並考察了其熱穩定性。結（jié）果表（biǎo）明以3，3'，4，4'-聯苯四酸二酐- 間苯二胺為主鏈的聚酰胺酸合成的（de）光（guāng）敏聚酰胺酸季銨鹽有較高的感光度，光（guāng）敏劑米氏酮的含量在3 ~ 5%，交聯劑2，6-雙（4-疊氮苄基）-4-甲基環己酮的含量（liàng）在8 ~ 10%為宜（yí）；光敏性叔胺二甲氨基乙醇肉桂叉乙酸酯的含量不可超過8%；由這種複合季銨鹽合（hé）成的新的光敏聚酰胺酸鹽在較低的溫度200"C以下就（jiù）可以完全酰亞胺化，但接近（jìn）550"C才達到理論失（shī）重量。