聚酰亞胺主要用作耐高溫材料和絕緣材料，為拓寬其應用領域，近（jìn）年來，科學（xué）工作者對聚酰亞胺進行了大餐的（de）功能化改性，獲得了大（dà）量（liàng）性能優異的改性產物（wù），如：高透明性聚酰亞胺、光（guāng）敏性聚酰（xiān）亞（yà）胺、光電導性聚酰亞（yà）胺等。下麵對這幾種功能性聚酰亞胺進行簡單介紹（shào）。

  對聚酰亞胺透（tòu）明性的改進方（fāng）法包括含氟基團、含矽基團、聚碸結構、脂環結構的引入及和甲基丙烯酸甲酯（zhǐ）共聚等方法。目前已製成了’多種透明聚酰亞胺。如由2，2 7一雙(三氟甲基)一（yī）4，4'-二胺基（jī）聯苯與2，2’一雙(3，4"-二羧基苯基)六氟丙烷二酐合成的含氟聚酰亞胺，它（tā）在可見光（guāng）領域和光通訊波長（zhǎng）領域(1．0～1．7um)都呈無（wú）色（sè）透明。日（rì）本住化八一滅公（gōng）司於1993年開發的商品名為（wéi）Kamax的透明聚酰亞胺，目（mù）前已用在汽車照明、包裝容器（qì）、光學儀器等領（lǐng）域，它是（shì）甲基丙烯酸（suān）甲酯（zhǐ）和N一（yī）甲基一二甲基（jī）戊二酰（xiān）亞胺的共聚體。透明性（xìng）聚酰亞胺在要求耐熱性高的光學領（lǐng）域具有良好的應用前景。目前，已在液晶定向薄膜、濾色片的保（bǎo）護膜、光敏元（yuán）件、光（guāng）導波路、接觸鏡片、太陽能電池和（hé）熱控製係（xì）統等航空宇宙（zhòu）飛行器部件用塗料方麵得到了（le）應用。

  光敏性聚酰亞胺(PSPI)是具有感光和耐熱雙重功能的高分子材（cái）料，在（zài）微（wēi）電子領域主要用作（zuò）光致（zhì）抗（kàng）蝕劑，可大大（dà）簡化使用非光敏聚酰亞胺時複（fù）雜的光刻（kè）工藝（yì）。PSPI按其配成光刻膠經光刻工藝後所得光刻（kè）圖形的不同，分為正性PSPI和負性PSPI，正（zhèng）性PSPI所用光敏劑一般為光降解型，負性PSPI所用光敏劑一般為光交聯型（xíng）。其製造方法一般是將光學活性單體接在聚酰胺酸上，形成（chéng）光（guāng）敏性聚酰胺酸，光敏性聚酰胺酸在光（guāng）照射下發生交聯，經刻蝕（shí）、高溫處理（lǐ）可（kě）閉環成聚酰亞胺（àn）。

  最早（zǎo）的PSPI是由Kerwin等於1971年提出的。它由（yóu）3份聚（jù）酰胺酸和l份重鉻（gè）酸鉀的二甲基亞碸（fēng）溶液組成，在紫外（wài）光照（zhào）射下，重（chóng）鉻（gè）酸鉀與酰亞胺（àn）基發生交聯，得到負性圖形。由於其貯（zhù）存期太短（duǎn）(4～8h)，未能推廣（guǎng）。1976年Rubner提出了一條新合成PSPI的方法，所得樹脂的光敏基團通過酯鍵與聚酰胺酸連（lián）接，在紫外光照射下，光敏（mǐn）基團的雙鍵（jiàn）之間進行交聯反應，在高溫固化階段，該光敏基團裂（liè）解後而形成（chéng）聚（jù）酰（xiān）亞胺膜，得負性圖形。在這條路線的基礎上，汽巴公司和杜（dù）邦公司分別推出了（le）Probimide一300、Merck Selectilux HTR3和DuPont Pyralin PD等商品PSPI。較早報道的正性PSPI是由（yóu）10％～20％聚酰胺酸（suān）的N一甲基一2一吡咯烷酮與鄰位疊氮萘醌按（àn）一定比例配成的。以後的科研工作者在上述研究的基礎上，通（tōng）過改變二酐、二胺單體（tǐ）、光敏劑種類和製備方（fāng）法製得了一係列PSPI。

  隨著微電子器件不斷微細化和精密化（huà），對PSPI的性能提出（chū）了越來越高（gāo）的要（yào）求。為此，對PSPI的改性工作也在不斷進行（háng）。較為成（chéng）功的有三種新型PSPI，即有機矽（guī）改性PSPI，自增感PSPI和含氟PSPI。其中，自增感PSPI是指體係中沒有外加光敏劑，靠自身進行光化學反應的PSPI。Pfreifer以二苯甲（jiǎ）酮四酸二酐和帶烷基取代基的芳香（xiāng）族二胺為單體合成了自增感PSPI。這類PSPI因主鏈含有柔順的羰基而具有可溶性，這樣在加工過程中避免了亞胺化過程造成的（de）種種缺點。開發較為（wéi）成功的自增感PSPI是汽巴公司的Proimide-400，訪樹脂一經推出就得（dé）到了（le）工業界的廣涉青睞。

  將電子給予體引入聚酰亞胺中，可得到具有光電導性的聚酰亞胺，這種聚酰亞胺（àn）在紫外光、X射線和可見光的輻（fú）照下可（kě）產生光電流。有機光電導材料可廣（guǎng）泛應用於靜電複印、製版印刷、激光打印、全息照相等領域，是一類新型的功能高分子材料。陳元勝等將哢（kā）唑和酞菁基團同時引入聚酰亞胺中，製得了光電（diàn）導性聚酰亞胺。這種（zhǒng）含哢（kā）唑和酞菁銅的聚酰（xiān）亞胺（àn）和四氨基酞菁銅比較，其光電性能（néng）明顯改善，表麵（miàn）充電電位由496V提高到945V，光衰速（sù）率從125V／s提高到250V／s，而感光度（dù）提高了（le）兩倍多。